一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法

专利号：CN202210219884.4

公布日：2022-07-12

申请人：广州市众拓光电科技有限公司

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底

专利号：CN200810109546.5

公布日：2008-12-10

申请人：住友电气工业株式会社

GaN芯片及其制作方法

专利号：CN201710267549.0

公布日：2017-09-05

申请人：四川北斗卫星导航平台有限公司

一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法

专利号：CN202110674594.4

公布日：2023-05-05

申请人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

具有PN结的GaN外延结构

专利号：CN201510450312.7

公布日：2015-10-21

申请人：成都嘉石科技有限公司

透明电极GaN基LED结构及其制作方法

专利号：CN200910081994.3

公布日：2010-10-20

申请人：中国科学院半导体研究所

LED外延结构及其生长方法

专利号：CN201310274853.X

公布日：2013-10-09

申请人：湘能华磊光电股份有限公司

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱

专利号：CN201420397434.5

公布日：2014-12-03

申请人：华南理工大学

一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

专利号：CN201410433616.8

公布日：2017-04-12

申请人：电子科技大学

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法

专利号：CN201410342668.4

公布日：2014-11-05

申请人：华南理工大学

一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法

专利号：CN201410382375.9

公布日：2014-11-05

申请人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司

一种复合结构的GaN功率器件

专利号：CN202010030167.8

公布日：2020-05-22

申请人：王磊

一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法

专利号：CN201811003560.7

公布日：2020-03-27

申请人：华灿光电（浙江）有限公司

GaN自支撑衬底的制备方法

专利号：CN202010223742.6

公布日：2020-07-17

申请人：江苏南大光电材料股份有限公司

一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法

专利号：CN201810373151.X

公布日：2018-11-13

申请人：河源市众拓光电科技有限公司